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● 內(nèi)存延遲知多少？

　　早在DDR2時(shí)代開始，用戶便開始關(guān)注內(nèi)存延遲等參數(shù)，而且較高延遲內(nèi)存也被很多DIY玩家稱作“雞肋”。如今DDR3內(nèi)存風(fēng)生水起，但是該規(guī)格內(nèi)存延遲過高更加令用戶們嗤之以鼻。筆者從論壇上得知，低延遲在不少用戶的心目中是與高性能劃等號(hào)的，而廠商為了迎合這些玩家亦推出了相應(yīng)的低延遲內(nèi)存產(chǎn)品，當(dāng)然這些內(nèi)存價(jià)格比普通內(nèi)存要貴出不少，那么究竟多花出的錢到底和性能提升成不成正比呢？今天答案就能揭曉。

海盜船4GB DDR2-1066內(nèi)存套裝標(biāo)簽

● 什么是內(nèi)存延遲？

　　內(nèi)存延遲表示系統(tǒng)進(jìn)入數(shù)據(jù)存取操作就緒狀態(tài)前等待內(nèi)存相應(yīng)的時(shí)間，它通常用4個(gè)連著的阿拉伯?dāng)?shù)字來表示，例如“5-6-6-18”。其實(shí)并非延遲越小內(nèi)存性能越高，因?yàn)镃L-TRP-TRCD-TRAS這四個(gè)數(shù)值是配合使用的，相互影響的程度非常大，并且也不是數(shù)值最大時(shí)其性能也最差，那么更加合理的配比參數(shù)很重要。

　　上圖我們看到這款海盜船內(nèi)存頻率為1066MHz，延遲為“5-6-6-18”，它們代表的意義從左往右分別是：

　　CAS Latency，即列地址選通脈沖時(shí)間延遲，我們常說的CL值就是它。指的是內(nèi)存存取數(shù)據(jù)所需的延遲時(shí)間，簡單的說，就是內(nèi)存接到CPU的指令后的反應(yīng)速度。

　　RAS－to－CAS Delay（tRCD），對應(yīng)于CAS，RAS是指Row Address Strobe，行地址選通脈沖。CAS和RAS共同決定了內(nèi)存尋址。RAS（數(shù)據(jù)請求后首先被激發(fā)）和CAS（RAS完成后被激發(fā)）并不是連續(xù)的，存在著延遲。即內(nèi)存行地址傳輸?shù)搅械刂返难舆t時(shí)間。

　　Row－precharge Delay（tRP），內(nèi)存行地址選通脈沖預(yù)充電時(shí)間，即內(nèi)存從結(jié)束一個(gè)行訪問結(jié)束到重新開始的間隔時(shí)間。

　　Row－active Delay（tRAS），內(nèi)存行地址選通延遲。是指從收到一個(gè)請求后到初始化RAS（行地址選通脈沖）真正開始接受數(shù)據(jù)的間隔時(shí)間。

BIOS中調(diào)節(jié)內(nèi)存延遲參數(shù)

　　由于內(nèi)存的讀寫速度遠(yuǎn)遠(yuǎn)落后于CPU的處理速度，因此減少這些讀寫延遲理論上可以提高內(nèi)存甚至是整個(gè)PC系統(tǒng)的性能。實(shí)踐才是檢驗(yàn)真理的唯一標(biāo)準(zhǔn)，同頻率內(nèi)存下更低的延遲性能能夠提升多少呢？下面就讓我們通過實(shí)際測試獲得答案。

 

● 測試系統(tǒng)硬件環(huán)境：

　　在本次內(nèi)存對比評測中，我們采用了較主流的Intel雙核奔騰E5300，需要將其外頻提升至266（默認(rèn)外頻為200），才能能較好支持DDR3-1066內(nèi)存。● 測試系統(tǒng)的軟件環(huán)境：

　  整個(gè)測試中，采用的三星DDR3-1333內(nèi)存被運(yùn)行在DDR3-1066下，延遲分別設(shè)置為5-5-5-15、6-6-6-18、7-7-7-21三種模式，電壓均保持在1.5V，處理器外頻266、倍頻6，下面就是具體的測試環(huán)節(jié)。

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